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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | PHB21N06LT,118 |
| Brand Name | Nexperia |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8254314109 |
| 零件包装代码 | D2PAK |
| 包装说明 | D2PAK-3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | SOT404 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| Country Of Origin | Philippines |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.29.00.75 |
| Date Of Intro | 1997-09-01 |
| 风险等级 | 0.72 |
| Samacsys Description | MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
| Samacsys Manufacturer | Nexperia |
| Samacsys Modified On | 2022-06-22 21:39:32 |
| YTEOL | 5.4 |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 34 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 19 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.075 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 245 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 76 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号