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PSMN130-200D
晶体管 > 功率场效应晶体管

PSMN130-200D

Philips Semiconductors
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
1,088
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
8.28
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 101439192
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.28
配置 SINGLE
最大漏极电流 (ID) 20 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级 1
元件数量 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W
表面贴装 YES
参数规格与技术文档
Philips Semiconductors
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