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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 8303457610 |
| 包装说明 | DIP, |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 风险等级 | 8.87 |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Samacsys Modified On | 2020-11-30 19:47:12 |
| YTEOL | 0 |
| 高边驱动器 | YES |
| 接口集成电路类型 | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T14 |
| 长度 | 19 mm |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 标称输出峰值电流 | 2 A |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度 | 4.44 mm |
| 最大供电电压 | 20 V |
| 最小供电电压 | 10 V |
| 标称供电电压 | 15 V |
| 电源电压1-最大 | 420 V |
| 电源电压1-分钟 | 6 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V |
| 断开时间 | 0.22 µs |
| 接通时间 | 0.26 µs |
| 宽度 | 7.62 mm |
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苏公网安备 32059002001873号