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S29CD016J0PFAM13
存储 > 闪存

S29CD016J0PFAM13

Cypress Semiconductor
Flash, 512KX32, 54ns, PBGA80, 13 X 11 MM, FBGA-80
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.35
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Transferred
Objectid 8004810381
包装说明 LBGA, BGA80,8X10,40
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
风险等级 7.35
最长访问时间 54 ns
其他特性 SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块 BOTTOM
最大时钟频率 (fCLK) 66 MHz
命令用户界面 YES
通用闪存接口 YES
数据轮询 YES
JESD-30 代码 R-PBGA-B80
长度 13 mm
内存密度 16777216 bit
内存集成电路类型 FLASH
内存宽度 32
功能数量 1
部门数/规模 16,30
端子数量 80
字数 524288 words
字数代码 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 512KX32
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA
封装等效代码 BGA80,8X10,40
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL
编程电压 2.7 V
认证状态 Not Qualified
就绪/忙碌 YES
座面最大高度 1.4 mm
部门规模 2K,16K
最大待机电流 0.00006 A
最大压摆率 0.09 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.75 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 2.6 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE
端子形式 BALL
端子节距 1 mm
端子位置 BOTTOM
切换位 YES
类型 NOR TYPE
宽度 11 mm
最长写入周期时间 (tWC) 0.000065 ms
参数规格与技术文档
Cypress Semiconductor
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