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SCT3080KRC14

ROHM Semiconductor

Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 1200V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247,

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥277.8860

市场总库存:

3,911

生命周期状态:

Active

风险等级:

7.5

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	8355262317
Reach Compliance Code	not_compliant
Country Of Origin	Thailand
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	27 weeks
Date Of Intro	2019-08-02
风险等级	7.5
Samacsys Description	N-Channel 1200 V 31A (Tc) 165W Through Hole TO-247-4L
Samacsys Manufacturer	ROHM Semiconductor
Samacsys Modified On	2023-03-07 16:10:32
YTEOL	6.5
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	1200 V
最大漏极电流 (ID)	31 A
最大漏源导通电阻	0.104 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-247
JESD-30 代码	R-PSFM-T4
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	77 A
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON CARBIDE

参数规格与技术文档

ROHM Semiconductor