参数名称 | 参数值 |
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是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 8355262318 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Country Of Origin | Thailand |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 27 weeks |
Date Of Intro | 2019-08-02 |
风险等级 | 7.52 |
Samacsys Description | MOSFET 1200V N-CH SIC TRENCH |
Samacsys Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
YTEOL | 6.5 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 1200 V |
最大漏极电流 (ID) | 24 A |
最大漏源导通电阻 | 0.137 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-247 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 60 A |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON CARBIDE |