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SI1021R-T1-GE3
晶体管 > 小信号场效应晶体管

SI1021R-T1-GE3

Vishay Intertechnologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥3.7683
市场总库存:
82,220
生命周期状态:
Active
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
Objectid 1577039942
零件包装代码 SC-75A
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.21.00.95
Samacsys Description MOSFET -60V Vds 20V Vgs SC75A
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 6.5
其他特性 LOW THRESHOLD
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.19 A
最大漏源导通电阻 4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 P-CHANNEL
功耗环境最大值 0.25 W
最大功率耗散 (Abs) 0.25 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
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