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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否无铅 |  不含铅 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1536740061 |
| 零件包装代码 | SC-70 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数 | 6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Samacsys Description | Vishay SI1469DH-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 2.6 A, -20 V, 6-Pin SOT-363 |
| Samacsys Manufacturer | Vishay |
| Samacsys Modified On | 2020-04-08 07:54:16 |
| YTEOL | 5.32 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 3.2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.08 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 6 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2.78 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 8 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号