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SI1967DH-T1-E3
晶体管 > 小信号场效应晶体管

SI1967DH-T1-E3

Vishay Intertechnologies
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 6-Pin SC-70 T/R
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥2.8954
市场总库存:
76,164
生命周期状态:
Active
风险等级:
6.78
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
Objectid 1577039950
零件包装代码 SC-70
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 6.78
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2023-01-25 09:40:10
YTEOL 6.9
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏极电流 (ID) 1 A
最大漏源导通电阻 0.49 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 2
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.25 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
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