参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 1791523128 |
零件包装代码 | TSOP |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数 | 6 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 1.62 |
Samacsys Description | MOSFET 60V 2.9A 3.3W 216mohm @ 10V |
Samacsys Manufacturer | Vishay |
Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
YTEOL | 6.9 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.0022 A |
最大漏源导通电阻 | 0.216 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 30 pF |
JEDEC-95代码 | MO-193AA |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 3.3 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |