晶体管 > 小信号场效应晶体管

SI3469DV-T1-E3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, MO-193C, TSOP-6

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥6.2975

市场总库存:

36,778

生命周期状态:

Not Recommended

风险等级:

暂无风险等级信息

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
是否Rohs认证	符合
生命周期	Not Recommended
Objectid	1998600863
包装说明	MO-193C, TSOP-6
Reach Compliance Code	compliant
Samacsys Description	MOSFET 20V 6.7A 0.03Ohm P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Samacsys Manufacturer	Vishay
Samacsys Modified On	2023-03-07 16:10:32
YTEOL	3
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V
最大漏极电流 (ID)	5 A
最大漏源导通电阻	0.03 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	MO-193AA
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1.14 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

参数规格与技术文档

Vishay Intertechnologies