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SI7415DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 3.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥10.9301

市场总库存:

122,098

生命周期状态:

Active

风险等级:

暂无风险等级信息

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
是否无铅	不含铅
生命周期	Active
Objectid	2005078537
包装说明	SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Samacsys Description	VISHAY - SI7415DN-T1-GE3 - MOSFET, P CH, 60V, 3.6A, PPAK SO8
Samacsys Manufacturer	Vishay
Samacsys Modified On	2023-03-07 16:10:32
YTEOL	5.4
其他特性	FAST SWITCHING
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	3.6 A
最大漏源导通电阻	0.065 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-XDSO-C5
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	3.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	30 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON