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SI7450DP-T1-E3

Vishay Intertechnologies

Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥42.8519

市场总库存:

46,918

生命周期状态:

Active

风险等级:

暂无风险等级信息

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	2046615277
Reach Compliance Code	compliant
Samacsys Description	Vishay SI7450DP-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor, 3.2 A, 200 V, 8-Pin SOIC
Samacsys Manufacturer	Vishay
Samacsys Modified On	2023-03-07 16:10:32
YTEOL	6
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	3.2 A
最大漏源导通电阻	0.09 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XDSO-C5
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	5.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	40 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON