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SKM100GB063D

SEMIKRON

Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE D 61, SEMITRANS 2, 7 PIN

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

市场总库存:

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.53

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
生命周期	Obsolete
Objectid	1508474587
零件包装代码	DO-204
包装说明	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数	2
制造商包装代码	CASE D 61
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Date Of Intro	1998-08-01
风险等级	9.53
Samacsys Manufacturer	Semikron
Samacsys Modified On	2023-02-06 15:50:37
YTEOL	0
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	130 A
集电极-发射极最大电压	600 V
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压	20 V
JESD-30 代码	R-XUFM-X7
JESD-609代码	e2
元件数量	2
端子数量	7
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	450 W
认证状态	Not Qualified
参考标准	UL RECOGNIZED
表面贴装	NO
端子面层	TIN SILVER
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	335 ns
标称接通时间 (ton)	90 ns
VCEsat-Max	2.5 V

参数规格与技术文档

SEMIKRON