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SKM145GB066D
晶体管 > IGBT

SKM145GB066D

SEMIKRON
Insulated Gate Bipolar Transistor, 195A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE D 61, SEMITRANS 2, 7 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥392.3991
市场总库存:
2
生命周期状态:
Active
风险等级:
2.24
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 2070436820
零件包装代码 DO-204
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数 2
制造商包装代码 CASE D 61
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 2.24
Samacsys Description Semikron SKM145GB066D, IGBT Module, Dual, 195 A max, 600 V, 7-Pin SEMITRANS®2
Samacsys Manufacturer Semikron
Samacsys Modified On 2020-06-22 19:17:21
YTEOL 5.25
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 195 A
集电极-发射极最大电压 600 V
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压 20 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X7
JESD-609代码 e3/e4
元件数量 2
端子数量 7
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
参考标准 UL RECOGNIZED
表面贴装 NO
端子面层 TIN/SILVER
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 536 ns
标称接通时间 (ton) 202 ns
VCEsat-Max 1.9 V
参数规格与技术文档
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