参数名称 | 参数值 |
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是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 8200174301 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.50 |
Factory Lead Time | 8 weeks |
Date Of Intro | 2016-09-25 |
风险等级 | 1.34 |
Samacsys Description | 38.9V Clamp 93A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-218AB |
Samacsys Manufacturer | Vishay |
Samacsys Modified On | 2024-03-05 06:25:35 |
YTEOL | 7.51 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY, PD-CASE |
最大击穿电压 | 29.5 V |
最小击穿电压 | 26.7 V |
外壳连接 | ANODE |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-218AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-C1 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 3600 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 1 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 245 |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 5 W |
参考标准 | AEC-Q101 |
最大重复峰值反向电压 | 24 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式 | C BEND |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |