二极管 > 瞬态抑制器

SM8S36AHE3_A/I

Vishay Intertechnologies

Trans Voltage Suppressor Diode, 5200W, 36V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-218AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥26.6682

市场总库存:

165,301

生命周期状态:

Active

风险等级:

1.47

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	8201453605
Reach Compliance Code	not_compliant
Country Of Origin	Taiwan
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8533.21.00.30
Factory Lead Time	8 weeks
Date Of Intro	2016-09-25
风险等级	1.47
Samacsys Description	Vishay SM8S36AHE3_A/I, Uni-Directional TVS Diode, 6600W, 2-Pin DO-218AB
Samacsys Manufacturer	Vishay
Samacsys Modified On	2023-06-20 02:12:43
YTEOL	7.5
其他特性	HIGH RELIABILITY, PD-CASE
最大击穿电压	44.2 V
最小击穿电压	40 V
外壳连接	ANODE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-218AB
JESD-30 代码	R-PSSO-C1
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	5200 W
元件数量	1
端子数量	1
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	245
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	8 W
参考标准	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压	36 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	C BEND
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30