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SS8050
二极管 > BJT

SS8050

25V,1.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor, Diodes, NPN, 25V, 1.5A, 120, 400, 1V
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8327189492
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.21.00.75
YTEOL 7
最大集电极电流 (IC) 1.5 A
基于收集器的最大容量 9 pF
集电极-发射极最大电压 25 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN
功耗环境最大值 0.3 W
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 190 MHz
VCEsat-Max 0.5 V
类别 Diodes
极性 NPN
V(BR)CEO (V) min. 25
IC (A) 1.5
hFE min 120
hFE max 400
Condition1_VCE (V) 1
Condition1_IC (mA) 100
VCE (sat) (V) 0.5
Condition2_IC (mA) 800
Condition2_IB (mA) 80
fT (MHz) min. 100
PD (W) max. 0.3
AEC Qualified No
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
生命周期 Active
是否无铅 Yes
符合Reach Yes
符合RoHS Yes
ECCN代码 EAR99
Package Outlines SOT-23
参数规格与技术文档
Galaxy Microelectronics
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