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SS8050
晶体管 > 小信号双极晶体管

SS8050

Small Signal Bipolar Transistor,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.38
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 8327189492
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.21.00.75
风险等级 7.38
YTEOL 7
最大集电极电流 (IC) 1.5 A
基于收集器的最大容量 9 pF
集电极-发射极最大电压 25 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN
功耗环境最大值 0.3 W
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 190 MHz
VCEsat-Max 0.5 V
参数规格与技术文档
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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