参数名称 | 参数值 |
---|---|
生命周期 | Active |
Objectid | 8365068878 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknown |
Country Of Origin | Thailand |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 1.44 |
Samacsys Manufacturer | Toshiba |
Samacsys Modified On | 2020-06-05 00:25:18 |
YTEOL | 6.5 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.1 A |
最大漏源导通电阻 | 7 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |