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SSPL6040D
晶体管 > 功率场效应晶体管

SSPL6040D

Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.68
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8054171852
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.68
YTEOL 5.55
其他特性 ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas) 112 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 33 A
最大漏源导通电阻 0.04 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 132 A
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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