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SST2222AT116
晶体管 > 小信号双极晶体管

SST2222AT116

ROHM Semiconductor
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-59, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥2.8954
市场总库存:
150,312
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.63
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1501700894
包装说明 SC-59, 3 PIN
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 18 weeks
风险等级 0.63
Samacsys Description ROHM SST2222AT116 NPN Transistor, 600 mA, 40 V, 3-Pin SST
Samacsys Manufacturer ROHM Semiconductor
Samacsys Modified On 2023-09-06 06:25:11
YTEOL 7
最大集电极电流 (IC) 0.6 A
基于收集器的最大容量 7 pF
集电极-发射极最大电压 40 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e1
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz
最大关闭时间(toff) 285 ns
最大开启时间(吨) 35 ns
VCEsat-Max 0.6 V
参数规格与技术文档
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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