Fri Mar 29 2024 20:33:57 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
STB70NF3LLT4
晶体管 > 功率场效应晶体管

STB70NF3LLT4

STMicroelectronics
N-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 70A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥8.9569
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.06
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid STB70NF3LLT4
Brand Name STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1519030219
零件包装代码 D2PAK
包装说明 ROHS COMPLIANT, DPAK-3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Date Of Intro 1980-01-04
风险等级 9.06
Samacsys Description STMicroelectronics STB70NF3LLT4 N-channel MOSFET Transistor, 70 A, 30 V, 3-Pin D2PAK
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 0
雪崩能效等级(Eas) 500 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 70 A
最大漏源导通电阻 0.0095 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 280 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
STMicroelectronics
STMicroelectronics
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
相关器件
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消