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STB75NF75L

STMicroelectronics

75A, 75V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

市场总库存:

生命周期状态:

Active

风险等级:

6.78

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	STB75NF75L
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	1938770197
零件包装代码	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
风险等级	6.78
Samacsys Description	STB75NF75L N-Channel MOSFET Transistor, 75 A, 75 V STripFET II, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics
Samacsys Manufacturer	STMicroelectronics
Samacsys Modified On	2023-03-07 16:10:32
YTEOL	5.85
雪崩能效等级（Eas）	680 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	75 V
最大漏极电流 (ID)	75 A
最大漏源导通电阻	0.013 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	300 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON