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STB75NF75LT4
晶体管 > 功率场效应晶体管

STB75NF75LT4

STMicroelectronics
N-Channel 75V - 0.009Ohm - 75A - D2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥21.1364
市场总库存:
419,796
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.82
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid STB75NF75LT4
Brand Name STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1938770196
零件包装代码 D2PAK
包装说明 ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
针数 3
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 39 weeks
风险等级 0.82
Samacsys Description N-Channel 75 V 75A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2023-05-18 10:57:38
YTEOL 5.85
其他特性 LOW THRESHOLD
雪崩能效等级(Eas) 680 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 75 V
最大漏极电流 (ID) 75 A
最大漏源导通电阻 0.013 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 245
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 300 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
STMicroelectronics
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