Thu Mar 28 2024 23:34:13 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
STB7NK80Z
晶体管 > 功率场效应晶体管

STB7NK80Z

STMicroelectronics
5.2A, 800V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Not Recommended
风险等级:
8.37
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid STB7NK80Z
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 1946867894
包装说明 ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
针数 3
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.37
Samacsys Description STB7NK80Z N-Channel MOSFET Transistor, 5.2 A, 800 V, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2019-05-23 14:45:06
YTEOL 3
雪崩能效等级(Eas) 210 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 800 V
最大漏极电流 (ID) 5.2 A
最大漏源导通电阻 1.8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 20.8 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
STMicroelectronics
STMicroelectronics
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消