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STD20N20T4
晶体管 > 功率场效应晶体管

STD20N20T4

STMicroelectronics
18A, 200V, 0.125ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥9.6382
市场总库存:
23
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.56
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid STD20N20T4
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 2036639191
零件包装代码 TO-252AA
包装说明 TO-252, DPAK-3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.56
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2022-09-02 15:07:21
YTEOL 0
雪崩能效等级(Eas) 110 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V
最大漏极电流 (ID) 18 A
最大漏源导通电阻 0.125 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 72 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
STMicroelectronics
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