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STL20N6F7

STMicroelectronics

N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥6.2322

市场总库存:

75,707

生命周期状态:

Active

风险等级:

1.63

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	STL20N6F7
Brand Name	STMicroelectronics
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	8151133085
Reach Compliance Code	not_compliant
Country Of Origin	Mainland China
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	26 weeks
风险等级	1.63
Samacsys Description	MOSFET N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
Samacsys Manufacturer	STMicroelectronics
Samacsys Modified On	2023-03-07 16:10:32
YTEOL	5.6
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	100 A
最大漏源导通电阻	0.0054 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-PDSO-F5
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	400 A
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON