Fri Apr 19 2024 03:30:45 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
STL6N2VH5
晶体管 > 小信号场效应晶体管

STL6N2VH5

STMicroelectronics
N-channel 20 V, 0.025 Ohm typ., 6 A STripFET(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 2x2 package
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥7.3109
市场总库存:
3,568
生命周期状态:
Active
风险等级:
1.71
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid STL6N2VH5
Brand Name STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1280966214
包装说明 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, POWERFLAT-6
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 26 weeks
风险等级 1.71
Samacsys Description STMicroelectronics STL6N2VH5 N-channel MOSFET Transistor, 6 A, 20 V, 6-Pin PowerFLAT
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 7.07
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏极电流 (ID) 6 A
最大漏源导通电阻 0.04 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 S-PDSO-N6
元件数量 1
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.4 W
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
STMicroelectronics
STMicroelectronics
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
相关器件
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消