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STP13N80K5
晶体管 > 功率场效应晶体管

STP13N80K5

STMicroelectronics
N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥27.1030
市场总库存:
16,692
生命周期状态:
Active
风险等级:
2.22
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid STP13N80K5
Brand Name STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1291277644
包装说明 TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 14 weeks 5 days
风险等级 2.22
Samacsys Description STP13N80K5 N-Channel MOSFET, 12 A, 800 V MDmesh K5, SuperMESH5, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 6.9
雪崩能效等级(Eas) 148 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 800 V
最大漏极电流 (ID) 12 A
最大漏源导通电阻 0.45 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 48 A
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
STMicroelectronics
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