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STP21N90K5

STMicroelectronics

N-channel 900 V, 0.25 Ohm typ., 18.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥53.2754

市场总库存:

4,778

生命周期状态:

Active

风险等级:

2.23

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	STP21N90K5
Brand Name	STMicroelectronics
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	1865499493
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	not_compliant
Country Of Origin	Mainland China
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	14 weeks
风险等级	2.23
Samacsys Description	N-channel 900 V, 0.25 Ohm typ., 18.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
Samacsys Manufacturer	STMicroelectronics
Samacsys Modified On	2023-03-07 16:10:32
YTEOL	6.9
雪崩能效等级（Eas）	170 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	900 V
最大漏极电流 (ID)	17 A
最大漏源导通电阻	0.299 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	210 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	68 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON