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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | STP270N8F7 |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1274610569 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| Country Of Origin | Mainland China |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 2.22 |
| Samacsys Description | STP270N8F7 N-Channel MOSFET, 180 A, 80 V STripFET H7, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics |
| Samacsys Manufacturer | STMicroelectronics |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| YTEOL | 5.3 |
| 其他特性 | ULTRA LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 1160 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 180 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0025 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 315 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 720 A |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号