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STP6N65M2
晶体管 > 功率场效应晶体管

STP6N65M2

STMicroelectronics
N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥8.7109
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
7.66
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid STP6N65M2
Brand Name STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 8054171876
包装说明 TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.66
YTEOL 0
雪崩能效等级(Eas) 100 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 650 V
最大漏极电流 (ID) 4 A
最大漏源导通电阻 1.35 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 0.65 pF
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 16 A
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
STMicroelectronics
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