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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | STQ1HNK60R-AP |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1971095101 |
| 零件包装代码 | TO-92 |
| 包装说明 | TO-92, 3 PIN |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Country Of Origin | Mainland China |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 13 weeks |
| 风险等级 | 1.68 |
| Samacsys Description | STQ1HNK60R-AP, N-channel MOSFET Transistor 0.4 A 600 V, 3-Pin TO-92 |
| Samacsys Manufacturer | STMicroelectronics |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| YTEOL | 5.8 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 25 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.4 A |
| 最大漏源导通电阻 | 8.5 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 3 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 1.6 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号