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STQ1NK60ZR-AP
晶体管 > 功率场效应晶体管

STQ1NK60ZR-AP

STMicroelectronics
N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-92 package
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥4.6794
市场总库存:
26,536
生命周期状态:
Active
风险等级:
1.69
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid STQ1NK60ZR-AP
Brand Name STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1977684940
零件包装代码 TO-92
包装说明 ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 13 weeks
风险等级 1.69
Samacsys Description STMICROELECTRONICS - STQ1NK60ZR-AP - MOSFET, N CH, 600V, 0.3A, TO92
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2023-10-11 09:24:31
YTEOL 5.8
雪崩能效等级(Eas) 60 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (ID) 0.3 A
最大漏源导通电阻 15 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 1.2 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
STMicroelectronics
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