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STQ2HNK60ZR-AP

STMicroelectronics

N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥7.7541

市场总库存:

16,988

生命周期状态:

Active

风险等级:

1.65

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	STQ2HNK60ZR-AP
Brand Name	STMicroelectronics
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	1992885403
零件包装代码	TO-92
针数	3
Reach Compliance Code	not_compliant
Country Of Origin	Mainland China
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	13 weeks
风险等级	1.65
Samacsys Description	N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package
Samacsys Manufacturer	STMicroelectronics
Samacsys Modified On	2023-03-07 16:10:32
YTEOL	5.8
雪崩能效等级（Eas）	120 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	600 V
最大漏极电流 (ID)	0.5 A
最大漏源导通电阻	4.8 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	7 pF
JEDEC-95代码	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-W3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	2 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON