晶体管 > 小信号场效应晶体管

TC2320TG-G

Microchip Technology Inc

200V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥15.4180

市场总库存:

2,660

生命周期状态:

Active

风险等级:

1.21

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	TC2320TG-G
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	1155388654
包装说明	4.90 X 3.90 MM, 1.75 MM HEIGHT, GREEN, SOIC-8
Reach Compliance Code	compliant
Country Of Origin	Thailand
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8542.39.00.01
Factory Lead Time	11 weeks
风险等级	1.21
Samacsys Description	Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
Samacsys Manufacturer	Microchip
Samacsys Modified On	2023-03-07 16:10:32
YTEOL	24.61
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏源导通电阻	7 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	23 pF
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	50 ns
最大开启时间（吨）	35 ns

参数规格与技术文档

Microchip Technology Inc