参数名称 | 参数值 |
---|---|
Source Content uid | TC6320K6-G |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 1155388656 |
包装说明 | DFN-8 |
Reach Compliance Code | compliant |
Country Of Origin | Thailand |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time | 11 weeks |
风险等级 | 1.14 |
Samacsys Description | MOSFET N AND P-CH 200V MOSFET |
Samacsys Manufacturer | Microchip |
Samacsys Modified On | 2023-07-13 14:06:08 |
YTEOL | 24.61 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏源导通电阻 | 7 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 30 pF |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | TS 16949 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 35 ns |
最大开启时间(吨) | 25 ns |