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TC6320TG-G
晶体管 > 功率场效应晶体管

TC6320TG-G

Microchip Technology Inc
200V, 7ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥13.6280
市场总库存:
62,114
生命周期状态:
Active
风险等级:
1.13
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid TC6320TG-G
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1155388657
包装说明 SOIC-8
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Thailand
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 4 weeks
风险等级 1.13
Samacsys Description MOSFET 200V 8.0/7.0Ohm
Samacsys Manufacturer Microchip
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 24.92
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压 200 V
最大漏源导通电阻 7 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 30 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 2
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
参考标准 TS 16949
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 35 ns
最大开启时间(吨) 25 ns
参数规格与技术文档
Microchip Technology Inc
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