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TL082BCD
放大器电路 > 运算放大器

TL082BCD

Texas Instruments
Dual, 30-V, 3-MHz, 13-V/µs slew rate, 3-mV offset voltage, In to V+, JFET-input op amp 8-SOIC 0 to 70
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥9.1205
市场总库存:
1,675
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
7.01
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid TL082BCD
Brand Name Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1420631024
零件包装代码 SOIC
包装说明 GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8
针数 8
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mexico
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.33.00.01
风险等级 7.01
Samacsys Description TL082BCD, Dual Operational Amplifier 3MHz, 8-Pin SOIC
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
Samacsys Modified On 2023-06-22 02:40:13
YTEOL 0
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.007 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.0002 µA
最小共模抑制比 75 dB
标称共模抑制比 86 dB
频率补偿 YES
最大输入失调电流 (IIO) 0.002 µA
最大输入失调电压 3000 µV
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4
长度 4.9 mm
低-偏置 YES
低-失调 NO
微功率 NO
湿度敏感等级 1
负供电电压上限 -18 V
标称负供电电压 (Vsup) -15 V
功能数量 2
端子数量 8
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装等效代码 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
包装方法 TUBE
峰值回流温度(摄氏度) 260
功率 NO
可编程功率 NO
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm
最小摆率 8 V/us
标称压摆率 13 V/us
子类别 Operational Amplifier
最大压摆率 5.6 mA
供电电压上限 18 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V
表面贴装 YES
技术 BIPOLAR
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 3000 kHz
最小电压增益 25000
宽带 NO
宽度 3.9 mm
参数规格与技术文档
Texas Instruments
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