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TP2104K1-G
晶体管 > 小信号场效应晶体管

TP2104K1-G

160mA, 40V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥5.7908
市场总库存:
24,984
生命周期状态:
Active
风险等级:
1.04
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid TP2104K1-G
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1155388803
包装说明 2.90 X 1.30 MM, 1.12 MM HEIGHT, GREEN PACKAGE-3
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Thailand
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
Factory Lead Time 18 weeks
风险等级 1.04
Samacsys Description P-Channel 40 V 160mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Samacsys Manufacturer Microchip
Samacsys Modified On 2023-03-15 06:25:45
YTEOL 24.61
其他特性 LOW THRESHOLD
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 40 V
最大漏极电流 (ID) 0.16 A
最大漏源导通电阻 6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 10 pF
JEDEC-95代码 TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 P-CHANNEL
功耗环境最大值 0.36 W
最大功率耗散 (Abs) 0.36 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Microchip Technology Inc
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