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TP2510N8-G
晶体管 > 功率场效应晶体管

TP2510N8-G

Power Field-Effect Transistor, 0.48A I(D), 100V, 3.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA, GREEN PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥8.1071
市场总库存:
130
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.73
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 2022104672
零件包装代码 SOT-89
包装说明 GREEN PACKAGE-3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.73
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 0.48 A
最大漏源导通电阻 3.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 25 pF
JEDEC-95代码 TO-243AA
JESD-30 代码 R-PSSO-F3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 2.5 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 FLAT
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 35 ns
最大开启时间(吨) 25 ns
参数规格与技术文档
Supertex Inc
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