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TS27L2IDT
放大器电路 > 运算放大器

TS27L2IDT

STMicroelectronics
Micropower, high voltage CMOS op-amp
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥3.1676
市场总库存:
79,749
生命周期状态:
Active
风险等级:
1.32
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid TS27L2IDT
Brand Name STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1928186548
零件包装代码 SOIC
包装说明 MICRO, PLASTIC, SO-8
针数 8
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Morocco
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.33.00.01
Factory Lead Time 12 weeks
风险等级 1.32
Samacsys Description STMicroelectronics TS27L2IDT, Dual CMOS Op Amp, 0.1MHz, 3 → 16 V, 8-Pin SOIC
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 4.95
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.0003 µA
标称共模抑制比 80 dB
频率补偿 YES
最大输入失调电压 12000 µV
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4
长度 4.9 mm
低-偏置 YES
低-失调 NO
微功率 YES
湿度敏感等级 1
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量 2
端子数量 8
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装等效代码 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
包装方法 TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
功率 NO
可编程功率 NO
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm
标称压摆率 0.04 V/us
最大压摆率 0.036 mA
供电电压上限 18 V
标称供电电压 (Vsup) 10 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 100 kHz
最小电压增益 40000
宽带 NO
宽度 3.9 mm
参数规格与技术文档
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