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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | TS912IDT |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1482483666 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, MICRO, PLASTIC, SOP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Country Of Origin | Morocco |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.33.00.01 |
| 风险等级 | 0.93 |
| Samacsys Description | TS912IDT, Dual Operational Amplifier 1MHz CMOS, Rail-Rail 3 to 15V, 8-Pin SO |
| Samacsys Manufacturer | STMicroelectronics |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| YTEOL | 6.27 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0003 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00015 µA |
| 标称共模抑制比 | 70 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 12000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 4.9 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 负供电电压上限 | |
| 标称负供电电压 (Vsup) | |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 包装方法 | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 标称压摆率 | 0.4 V/us |
| 最大压摆率 | 1.4 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 标称均一增益带宽 | 800 kHz |
| 最小电压增益 | 2000 |
| 宽度 | 3.9 mm |
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苏公网安备 32059002001873号