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U632H16BSC45G1
存储 > SRAM

U632H16BSC45G1

ZMDI
Non-Volatile SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, SOP-28
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.74
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 2006522014
零件包装代码 SOIC
包装说明 SOP, SOP28,.4
针数 28
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 7.74
最长访问时间 45 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G28
JESD-609代码 e3
长度 17.9 mm
内存密度 16384 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM
内存宽度 8
湿度敏感等级 3
功能数量 1
端子数量 28
字数 2048 words
字数代码 2000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 2KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装等效代码 SOP28,.4
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 2.65 mm
最大待机电流 0.003 A
最大压摆率 0.075 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
宽度 7.5 mm
参数规格与技术文档
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