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PMP9484 是一款可用于 50W +50W 立体声或 100W 低音炮应用的 100W 高效紧凑型汽车放大器参考设计。此设计大致分为三个主要级: 1.) 采用 LM5122 控制器 IC 的高效单相同步升压转换器。此设计接受 7.5Vin 至 20Vin 输入电压(标称为 12Vin),可实现 24V 输出,并且能够为负载提供 5A 连续电流。峰值效率高达 98%。 2.) 采用 TPA3116D2 D 类器件的 50W+ 50W 立体声音频放大器 3.) 极低成本立体声转换为低音炮低音输入
可调光DC/DC LED驱动器(反相降压 - 升压)用于AVAGO MJ50或类似的LED串高达300mA的负载
还有24份与之关联的参考设计
名称 厂商 描述
TP65H035WS
Transphorm
采用 TO-247 封装的 650V 35mΩ 氮化镓GaN FET。通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
650V 35mΩ GaN FET in TO-247.It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.
TP65H035WSQA
Transphorm
650V, 50m? Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device. It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies¡ªoffering superior reliability and performance
TP65H050WS
Transphorm
采用 TO-247 封装的 650V 35mΩ 氮化镓GaN FET。通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
650V 50mΩ GaN FET in TO-247.It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance and offers improved efficiency over silicon, through lower gate charge, lower crossover loss, and smaller reverse recovery charge.
TP65H070LDG
Transphorm
650V 72mΩ 氮化镓 (GaN) FET 属于常闭型器件。Transphorm氮化镓GaN FET 通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率
TP65H070LSG
Transphorm
650V 72mΩ 氮化镓 (GaN) FET 属于常闭型器件。Transphorm氮化镓GaN FET 通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率
TP90H180PS
Transphorm
900V 170mΩ GaN FET in TO-220。通过更低的栅极电荷,更低的交叉损耗和更小的反向恢复电荷,提高了硅的效率。
900V 170mΩ GaN FET in TO-220.It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.
TPH3205WSBQA
Transphorm
650V 49mΩ AEC-Q101 Qualified GaN FET in TO-247。它结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术 - 提供卓越的可靠性和性能。
650V 49mΩ AEC-Q101 Qualified GaN FET in TO-247.It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.The device is also automotive qualified, having passed the Automotive Electronics Council’s AEC-Q101 stress tests for automotive-grade discrete semiconductors.
TPH3206PSB
Transphorm
采用 TO-220 封装的 650V 150mΩ 氮化镓GaN FET。通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
650V 150mΩ GaN FET in TO-220.It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.
TPH3208PS
Transphorm
采用 TO-220 封装的 650V 110mΩ氮化镓GaN FET。通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
650V 110mΩ GaN FETs in TO-220.It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.
TPH3212PS
Transphorm
采用 TO-220 封装的 650V 72mΩ 氮化镓GaN FET。通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
650V 72mΩ GaN FET in TO-220.It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.
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