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1SV228-2TPHR4
二极管 > 变容二极管

1SV228-2TPHR4

Toshiba America Electronic Components
DIODE 15 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
5.9
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 1SV228-2TPHR4
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Active
包装说明 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.80
风险等级 5.9
其他特性 3% MATCHED SETS ARE AVAILABLE
最小击穿电压 15 V
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最小二极管电容比 2.1
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 2
端子数量 3
最高工作温度 125 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240
认证状态 Not Qualified
最大反向电流 0.01 µA
反向测试电压 15 V
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
数据手册与技术文档
Toshiba America Electronic Components
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