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2N7002,215
晶体管 > 小信号场效应晶体管

2N7002,215

Nexperia
2N7002 - 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET@en-us TO-236 3-Pin
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥0.4055
市场总库存:
3,806,587
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.56
风险等级:
设计
产品
长期
替代料
FE 功能等同替代料,包含 FFF 形态、装配、功能兼容替代料 (9):
对比 型号 厂商 描述
生命周期
风险等级
对比 2N7002,215
小信号场效应晶体管
当前料
小信号场效应晶体管 Nexperia
2N7002 - 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET@en-us TO-236 3-Pin
Active
对比 BSS192,115
小信号场效应晶体管
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小信号场效应晶体管 Nexperia
BSS192 - 240 V, P-channel vertical D-MOS transistor@en-us SOT-89 3-Pin
Active
设计
产品
长期
AD MUN5311DW1T1G Arrow
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
对比 BSS123,215
小信号场效应晶体管
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小信号场效应晶体管 Nexperia
BSS123 - 100 V, N-channel Trench MOSFET@en-us TO-236 3-Pin
Active
设计
产品
长期
对比 BST82,215
小信号场效应晶体管
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小信号场效应晶体管 Nexperia
BST82 - N-channel TrenchMOS intermediate level FET@en-us TO-236 3-Pin
Active
设计
产品
长期
对比 BSS192,135
小信号场效应晶体管
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小信号场效应晶体管 Nexperia
BSS192 - 240 V, P-channel vertical D-MOS transistor@en-us SOT-89 3-Pin
Active
设计
产品
长期
对比 BST82,235
小信号场效应晶体管
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小信号场效应晶体管 Nexperia
BST82 - N-channel TrenchMOS intermediate level FET@en-us TO-236 3-Pin
Active
设计
产品
长期
对比 BSN254A,126
小信号场效应晶体管
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小信号场效应晶体管 Nexperia
BSN254A - N-channel vertical D-MOS standard level FET@en-us TO-92 3-Pin
Obsolete
设计
产品
长期
对比 BSN254,126
小信号场效应晶体管
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小信号场效应晶体管 Nexperia
BSN254 - N-channel vertical D-MOS standard level FET@en-us TO-92 3-Pin
Obsolete
设计
产品
长期
对比 2N7002T,215
小信号场效应晶体管
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小信号场效应晶体管 Nexperia
2N7002T - N-channel TrenchMOS logic level FET@en-us TO-236 3-Pin
Obsolete
设计
产品
长期
对比 PMV117EN,215
小信号场效应晶体管
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小信号场效应晶体管 Nexperia
N-channel TrenchMOS logic level FET@en-us TO-236 3-Pin
Obsolete
设计
产品
长期
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