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2N7002-T1-E3
晶体管 > 小信号场效应晶体管

2N7002-T1-E3

Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, SOT-23, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥2.5060
市场总库存:
43,950
生命周期状态:
Not Recommended
风险等级:
0.76
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 2046560672
零件包装代码 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin Thailand
ECCN代码 EAR99
风险等级 0.76
Samacsys Description MOSFET 60V 0.115A 0.2W
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2021-02-19 09:52:21
YTEOL 6.52
其他特性 LOW THRESHOLD
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.115 A
最大漏极电流 (ID) 0.115 A
最大漏源导通电阻 7.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 5 pF
JEDEC-95代码 TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Powers
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
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