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2N7002DW
晶体管 > 小信号场效应晶体管

2N7002DW

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥2.3132
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.45
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1475140253
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.45
其他特性 FAST SWITCHING
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.115 A
最大漏源导通电阻 7.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 5 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
元件数量 2
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Lite-On Semiconductor Corporation
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